技術(shù)編號(hào)：6747525
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。特別涉及用于高密度半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的空間有效結(jié)構(gòu)，該高密度半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有便于存儲(chǔ)器單元進(jìn)行存取的對(duì)角位線(xiàn)(diagonal bit)，以及位于不同的垂直隔開(kāi)的層上的雙字線(xiàn)。因?yàn)榇嬖诓粩嗟卦黾影雽?dǎo)體存儲(chǔ)器容量的趨勢(shì)，所以需要新的設(shè)計(jì)能節(jié)省芯片的空間而不損害其性能。隨著越來(lái)越小的存儲(chǔ)器單元的實(shí)現(xiàn)，使用字線(xiàn)及位線(xiàn)有效地訪(fǎng)問(wèn)所述單元而不額外地影響芯片的尺寸的問(wèn)題變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。傳統(tǒng)的DRAM芯片采用了...
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