技術(shù)編號：6750238
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景本發(fā)明一般涉及使用相變材料的存儲器。相變材料可呈現(xiàn)至少兩個不同的狀態(tài)?？煞Q這些狀態(tài)為非結(jié)晶的和結(jié)晶的狀態(tài)?？捎羞x擇性地啟動這些狀態(tài)間的轉(zhuǎn)換。該狀態(tài)是可以區(qū)別的，因?yàn)樵摲墙Y(jié)晶狀態(tài)一般比結(jié)晶狀態(tài)呈現(xiàn)更高的阻率。非結(jié)晶狀態(tài)包括更多無序的原子結(jié)構(gòu)，而結(jié)晶狀態(tài)包括更多有序的原子結(jié)構(gòu)，一般地可使用任何相變材料；但是，在某些實(shí)施例中，薄膜硫族化物合金材料是特別適宜的?？梢钥赡娴馗猩撓嘧儭Ｒ虼?，該存儲器可以從非結(jié)晶狀態(tài)改變到該晶體狀態(tài)和之后可以返回到該非結(jié)晶狀態(tài)或者...
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