技術(shù)編號(hào)：6752011
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的相互參照本申請(qǐng)要求于2002年9月13日由M.C.考茨基、M.卡馬拉祖賈達(dá)和薛松生提出的臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)枮?0/410,614的“具有改進(jìn)的散熱特性的寫(xiě)入器磁芯結(jié)構(gòu)”的優(yōu)先權(quán)。背景技術(shù)本發(fā)明一般涉及磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢索系統(tǒng)。本發(fā)明尤其涉及用于制造具有改進(jìn)的散熱特性的薄膜傳感磁頭的方法。在磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢索系統(tǒng)中，薄膜傳感磁頭通常包括傳感器、在其上構(gòu)建傳感器的襯底和沉積在傳感器上的外層(overcoat)。該傳感器通常包括用于將磁編碼的信息存儲(chǔ)到磁介質(zhì)上的寫(xiě)入...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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