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      技術(shù)編號(hào):6752659

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      本發(fā)明一般涉及存儲(chǔ)系統(tǒng),而且更特別地關(guān)于具有參考單元的存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu),以及確保數(shù)據(jù)單元與參考單元有相同期齡的一種方法。背景技術(shù) 閃存是一種在不耗電力的情形下可重寫并且可維持其內(nèi)容的電子存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存器件一般具有100K至300K寫入次數(shù)的壽命。不像可將單一字節(jié)擦除的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件以及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件,閃存器件典型地在固定多位區(qū)塊或者扇區(qū)中被擦除和寫入。從電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)芯片技術(shù)發(fā)展而來(lái)的閃存技術(shù),其可在...
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