技術(shù)編號：6755176
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，更具體地，涉及用于檢測弱SRAM單元的方法和設(shè)備。靜態(tài)RAM是需要電源維持其內(nèi)容的存儲(chǔ)芯片，即只有供電才能在存儲(chǔ)器中保持?jǐn)?shù)據(jù)位。靜態(tài)RAM由觸發(fā)電路構(gòu)成，所述觸發(fā)電路基于兩個(gè)選擇晶體管中的哪一個(gè)被激活而使得電流通過一端或另一端。與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)不同，靜態(tài)RAM無需周期性地刷新單元的刷新電路。SRAM還提供了比DRAM更快的數(shù)據(jù)訪問速度。但它們也占用了更多的空間，耗費(fèi)了更多的功率并且增加了成本。例...
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