技術編號：6755334
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及用于對存儲器件編程的技術。在一個實施例中，本發(fā)明涉及利用自升壓(selfboosting)技術對非易失性存儲器(例如閃存器件)的編程。背景技術 半導體存儲器件已經(jīng)非常普遍地被用在各種電子設備中。例如，非易失性半導體存儲器被用在蜂窩電話、數(shù)字相機、個人數(shù)字處理、移動計算設備、非移動計算設備和其它設備中。電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存是最普遍的非易失性半導體存儲器。閃存系統(tǒng)的一個例子采用NAND(與非)結(jié)構(gòu)，它包括串聯(lián)布置在兩個選...
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