技術編號：6755688
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用棧式存儲單元陣列的存儲裝置，包括但不限于非易失性和半易失性可編程電阻存儲單元(諸如MRAM和PCRAM)，并且尤其涉及棧式存儲單元的讀取電路。背景技術 集成電路設計者總是尋求理想的半導體存儲器可隨機訪問的裝置可以被立即寫入或讀取，是非易失性的，可無限次修改并且只消耗很少的功率。出現的技術逐漸地提供這些優(yōu)點。某些非易失性或半易失性存儲器技術包括磁阻隨機存取存儲器(MagnetoresistiveRandom Access Memory MRAM...
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