技術(shù)編號：6756239
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包含具有串聯(lián)存儲單元的存儲陣列的半導(dǎo)體集成電路，且在較佳實施例中，本發(fā)明具體而言涉及單片式三維存儲陣列。背景技術(shù) 半導(dǎo)體處理技術(shù)及存儲單元技術(shù)的最近發(fā)展使在集成電路存儲陣列中所獲得的密度一直持續(xù)提高。例如，某些無源元件存儲單元陣列可制成使字線接近于最小形體尺寸(F)及使特定字線互連層具有最小的形體間距、并同時還使位線接近最小形體寬度及使特定位線互連層具有最小形體間距。此外，已制成了具有不止一個存儲單元平面或?qū)拥娜S存儲陣列—其在每一存儲平面上均構(gòu)...
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