技術(shù)編號：6757313
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種測試隧道磁阻效應(yīng)(TMR)元件的方法和裝置，例如使用隧道磁阻效應(yīng)的TMR頭元件或磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。背景技術(shù) 在制造磁頭期間或之后，通常執(zhí)行評價(jià)測試來確定具有磁阻效應(yīng)(MR)頭元件的薄膜磁頭是否是沒有缺陷的產(chǎn)品。這種評價(jià)測試包括用來確認(rèn)例如巴克豪森效應(yīng)噪聲(BHN)的任何隨機(jī)電報(bào)噪聲(RTN)不是由MR頭元件產(chǎn)生的穩(wěn)定性測試，和用來確認(rèn)MR頭元件的擊穿電壓高到足以經(jīng)得住延長的使用周期的可靠性測試。實(shí)際上，對于所有制造的MR頭元件，...
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