技術(shù)編號(hào):6759146
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于存儲(chǔ)裝置及類似裝置,特別是關(guān)于一種對(duì)閃存裝置 中具多級(jí)數(shù)據(jù)狀態(tài)(multi-level data states)之存儲(chǔ)單元之扇區(qū)(sectors of cells))進(jìn)行編程(programming)的方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的眾多不同種類及型態(tài)之存儲(chǔ)能夠儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)及相似種類之 系統(tǒng)之?dāng)?shù)據(jù)。例如,隨機(jī)存取存儲(chǔ)(RAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)、 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器 (PROM)、電性可編程只讀存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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