技術編號：6763219
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有存儲單元和差動讀放大器的集成存儲器，所述存儲單元排列在字線與位線的交叉點中。在Betty Prince“半導體存儲器”，John Wiley&Sons，WestSussex，1996年第2版，第5.8.5章以及附圖5.14中曾講述過一種DRAM形式的集成存儲器。其中是一對位線與一個差動讀放大器相連。這是一種典型的DRAM裝置。從該書的附圖6.54(e)也可以得知，DRAM的存儲單元被布置在字線與位線對的兩個位線所形成的交叉...
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