技術編號：6763398
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體存儲器件，特別涉及一種包括了虛擬存儲單元(dummy memory cell)的半導體存儲器件。 背景技術 一般在半導體存儲器件中，當要將數(shù)據(jù)寫入存儲單元中時，位線對離開預充電狀態(tài)，并且被選位線對以及連接到被選字線的寫放大器導通。完成數(shù)據(jù)寫操作之后，半導體存儲器件使被選字線和寫放大器關斷，并將位線對再次置于預充電狀態(tài)。圖8圖示了常規(guī)半導體存儲器件的結構圖。圖8中所示的半導體存儲器件包括存儲單元1、位線預充電電路2、寫放大器3和寫放大器控...
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