技術(shù)編號(hào)：6765175
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種抗輻射加固存儲(chǔ)單元電路，包括基本存儲(chǔ)單元、冗余存儲(chǔ)單元和雙向反饋單元；其中，基本存儲(chǔ)單元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管；冗余存儲(chǔ)單元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管；雙向反饋單元用于構(gòu)成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)與冗余存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)間的反饋通路，還用于構(gòu)成反相存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)與反相冗余存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)間的反饋通路。本發(fā)明的存儲(chǔ)單元電路可自動(dòng)實(shí)現(xiàn)抗總劑量效應(yīng)加固和抗單粒子閂鎖效應(yīng)加固，同時(shí)利用冗余和雙路循環(huán)反饋技術(shù)實(shí)現(xiàn)抗單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)加固，具有較好的抗...
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