技術(shù)編號：6766363
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種基于分塊DRAM的低功耗刷新方法，包括當所述DRAM處于繁忙狀態(tài)時，所述DRAM的刷新周期為T_refresh0；當所述DRAM處于非繁忙狀態(tài)時，選取所述DRAM芯片中N個塊的某一保持時間T_refresh1，所述T_refresh1大于T_refresh0，在保持時間T_refresh1下，存在最差存儲單元的L個塊分別記作塊L_0，塊L_1，……，塊L_L-1（0<L≤N）。關(guān)閉所述DRAM芯片中的L個塊，將剩余N-L個塊的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。