技術(shù)編號(hào)：6766766
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種基于DICE結(jié)構(gòu)的改進(jìn)SRAM存儲(chǔ)單元，該單元包括以下結(jié)構(gòu)4個(gè)反相器結(jié)構(gòu)，所述反相器結(jié)構(gòu)由PMOS管和NMOS管串聯(lián)形成，PMOS管漏極和NMOS管漏極之間作為存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)控制其它反相器結(jié)構(gòu)的一個(gè)NMOS管和另一個(gè)反相器結(jié)構(gòu)的一個(gè)PMOS管的柵電壓；傳輸結(jié)構(gòu)，由4個(gè)NMOS管構(gòu)成，其源極、柵極和漏極分別接位線/反相位線、字線和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明通過(guò)采用改進(jìn)后的基于DICE結(jié)構(gòu)的SRAM存儲(chǔ)單元，避免了傳統(tǒng)六管單元結(jié)構(gòu)靜態(tài)噪聲容限小，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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