技術(shù)編號(hào):6772317
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于FPGA的NAND FLASH器件單粒子效應(yīng)測(cè)試方法,屬于空間輻射效應(yīng)及加固領(lǐng)域。背景技術(shù)非易失性NAND FLASH存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)密度高、功耗低、芯片引腳兼容性好、掉電不丟失數(shù)據(jù)、短時(shí)間內(nèi)不需重刷新數(shù)據(jù)等特性,近年來(lái)NAND FLASH存儲(chǔ)器在空間用的應(yīng)用呈勢(shì)態(tài)發(fā)展??臻g環(huán)境中的高能帶電粒子能誘發(fā)NAND FLASH器件發(fā)生單粒子效應(yīng),使之產(chǎn)生邏輯錯(cuò)誤及功能異常的現(xiàn)象,給航天器載荷在軌效能發(fā)揮帶來(lái)一定的影響,因此,NAND FLASH ...
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