技術(shù)編號：6773282
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路中的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，具體涉及一種槽柵結(jié)構(gòu)的多位快閃存儲器的存儲方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲器作為當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展最快的部分之一，一直以來是業(yè)界的研究熱點。尤其在當(dāng)前各類消費電子類產(chǎn)品廣泛普及的情況下，人們對高性能半導(dǎo)體存儲器的需求日益增加。其中快閃存儲器(Flash memory，也稱作閃存)以其與MOS工藝兼容、存儲性能優(yōu)越等優(yōu)點，在當(dāng)前存儲器市場中占有很大的份額。目前市面上的快閃存儲器按照存儲電荷的方式主要分為兩種類型以...
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