技術(shù)編號(hào)：6773835
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備和存儲(chǔ)器系統(tǒng)，更具體講，涉及用于提高總線效率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。典型的存儲(chǔ)器設(shè)備已發(fā)展為具有高密度的集成度和很大的容量。中央處理器(CPU)已發(fā)展為能夠以高速進(jìn)行處理。大的存儲(chǔ)器設(shè)備的運(yùn)行速度一般來說要比CPU的速度慢。結(jié)果，就在CPU和存儲(chǔ)器設(shè)備的運(yùn)行速度之間出現(xiàn)了差異。較慢的存儲(chǔ)器設(shè)備的運(yùn)行速度限制了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的綜合性能。為了獲得快速的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，必須開發(fā)高速度的存儲(chǔ)器設(shè)備并提高其總線效率。同步DRAM是最快速的大...
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