技術(shù)編號：6774773
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種以金屬氧化物為主的存儲器元件及其制造方法。背景技術(shù)在集成電路中使用一次可編程(one time programmable ;0TP)存儲器作各種非易失性存儲器的應(yīng)用。典型地，使用電荷儲存、熔絲或反熔絲技術(shù)來執(zhí)行一次可編程存儲器。 通過施加電壓脈沖遍及介電或其它高電阻材料以造成崩潰(breakdown)及形成經(jīng)材料的低電阻電流路徑來編程反熔絲型存儲器。各種材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁及氧化鉿已被提出使用于反熔絲型存儲器。典型地，...
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