技術(shù)編號：6778359
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲元件，更具體的說，涉及包含一個(gè)與目前的互補(bǔ)式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管工藝兼容的單層多晶硅非易失性存儲元件。背景技術(shù) 許多非易失性半導(dǎo)體存儲元件以熟知的金屬氧化物場效應(yīng)晶體管型式結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)。換句話而言，其包含一個(gè)由介質(zhì)層與襯底分離的柵極結(jié)構(gòu)。擴(kuò)散區(qū)域通過在柵極兩側(cè)的襯底內(nèi)部布植而形成。當(dāng)適當(dāng)?shù)碾妷罕皇┘佑跀U(kuò)散區(qū)域和控制柵極時(shí)，一個(gè)溝道會形成于介于擴(kuò)散區(qū)域之間的柵極下方。載流子，如，電子，可以在介于擴(kuò)散區(qū)域之間的溝道上移動。假如一個(gè)足夠的電...
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