技術(shù)編號(hào)：6778399
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，特別是涉及改善在寫入(write)時(shí)有大電流流動(dòng)的線路的可靠性的方法。背景技術(shù) 近些年來(lái)，隨著在室溫下磁隧道結(jié)(Magnetic TunnelJunction(MTJ))具有大的磁阻比(Magneto-Resistive(MR)Ratio)的現(xiàn)象被研究者發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用隧道磁阻效應(yīng)(Tunneling Magneto-Resistive(TMR))的MRAM的實(shí)現(xiàn)，開始變成為現(xiàn)實(shí)。即便是在把TMR效應(yīng)應(yīng)用于MRAM以前，人們也已經(jīng)知道...
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