技術(shù)編號：6779701
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總體上涉及閃存設(shè)備,并且M涉及多位閃存設(shè)^l^和對其編程的方法。技術(shù)背景包括電可擦可編程只讀存^諸器(EEPROM)的NAND閃存已被推薦為電可重寫 非易失性半導(dǎo)#賭器。在NAND閃存中，并排安置的^f渚單元的源極和漏極是串 聯(lián)連接的，并且存儲單元的串聯(lián)連接作為一個單元連接到位線。此外，沿行方向設(shè) 置的所有或一半單元被同時寫入其中或從中讀出。最近，已經(jīng)研發(fā)了能夠使數(shù)據(jù) 項保存在NAND閃速##器中的一個單元的多值務(wù)賭器。常規(guī)多值^#器可以包括，例如,...
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