技術(shù)編號：6780082
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于非易失性閃存元件，且特別是有關(guān)于一種多階快閃存儲 單元的操作方法。背景技術(shù)多階或多位快閃存儲單元是一種可以不增加面積而增加存儲元件儲存數(shù)據(jù)量的解決之道。單位元存儲單元可以儲存"開"和"關(guān)"(通常記為"0" 和"1")兩個狀態(tài)， 一個存儲單元有n位，以二進(jìn)制編碼(binary encoding) 可以儲存2"個狀態(tài)。圖1繪示已知一種多位存儲單元，標(biāo)示為10。存儲單元 10在相對于半導(dǎo)體通道20具有對稱的源極/漏極區(qū)16和18。通道20和柵極 1...
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