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      在非易失性存儲器中使用多個升壓模式減少程序干擾的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:6781316

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      本發(fā)明涉及非易失性存儲器。背景技水半導體存儲器用于各種電子裝置中已變得日益風行。舉例來說,非易失性半導體存 儲器用于蜂窩式電話、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理、移動計算裝置、非移動計算裝置及其 它裝置中。電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)及快閃存儲器在最風行的非易失性 半導體存儲器之中。與傳統(tǒng)的全特征EEPROM相比,在快閃存儲器(也是一類型的 EEPROM)的情況下,可在一個步驟中擦除整個存儲器陣列的內(nèi)容或存儲器的一部分的 內(nèi)容。傳統(tǒng)EEPROM與快閃存儲...
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