技術(shù)編號(hào)：6781395
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)存儲(chǔ)器系統(tǒng)，特別涉及一種閃存系統(tǒng)及方法，其中一種新的基準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)，以及在軟程序和軟程序校驗(yàn)操作期間獨(dú)特的參考電壓的應(yīng)用，本發(fā)明能消除將基準(zhǔn)存儲(chǔ)單元修正至低閾值電壓所引起的問題，并能加強(qiáng)消除的核心單元閾值電壓分布，且能對(duì)更快速的編程次數(shù)有所助益。背景技術(shù) 閃存是一種電子存儲(chǔ)介質(zhì)，不需電力即可重復(fù)寫入并保持其內(nèi)容。一般閃存裝置的壽命大約介于100K至1MEG的寫入次數(shù)。和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)以及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)存儲(chǔ)器芯片所不同...
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