技術(shù)編號：6783040
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文所公開的本發(fā)明涉及存儲器件，更具體而言，涉及阻抗可變 存儲器件及其操作方法。背景技術(shù)對實現(xiàn)高集成度及高容量的半導(dǎo)體存儲器件的需求已穩(wěn)步增長。 此半導(dǎo)體器件的一示例為閃速存儲器，其主要用于便攜式電子器件中。 此外，已出現(xiàn)具有取代如DRAM中所使用的電容的非易失性材料的半導(dǎo)體存儲器件。例如，此種半導(dǎo)體器件包括使用鐵電電容的鐵電RAM (FRAM)、 使用隧道式磁阻(TMR)層的磁性RAM (MRAM)、及使用硫化物合 金的相變存儲器件。更具體地說，諸如相變...
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