技術(shù)編號(hào)：6789841
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及信息存儲(chǔ)技術(shù)，特別是一種多阻態(tài)阻變存儲(chǔ)器。背景技術(shù)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器均是利用二進(jìn)制來完成信息存儲(chǔ)，即通常所說的O與I。但隨著半導(dǎo)體制造業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)器的性能要求越來越高。目前主流的存儲(chǔ)器是基于浮柵式MOS管單元結(jié)構(gòu)。它通過在浮柵中寫入或擦除電荷來改變MOS管的閾值電壓，根據(jù)閾值電壓的高低記憶信息?；诖烁拍?，半導(dǎo)體制造業(yè)相繼發(fā)展出EPROM、EEPROM及目前主流的FLASH存儲(chǔ)器。移動(dòng)電子產(chǎn)品的發(fā)展使FLASH類存儲(chǔ)器擁有了廣大的市場(chǎng)。但...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。