技術(shù)編號：6791418
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及分子束外延生長，尤其是涉及一種在GaAs襯底上采用緩沖層生長工藝外延生長InAs/GaSb超晶格結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)InAs/GaSb 二類超晶格材料是最有希望的第三代紅外探測器材料之一，具有均勻性好，暗電流小，俄歇復(fù)合幾率低，覆蓋波段范圍大等優(yōu)點(diǎn)，在制導(dǎo)、夜視等軍事領(lǐng)域以及工業(yè)檢測、遙感等民用領(lǐng)域具有重要應(yīng)用，是當(dāng)前紅外探測領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。所謂超晶格結(jié)構(gòu)是指是兩種晶格常數(shù)較為匹配的材料交替生長形成的周期結(jié)構(gòu)。通常，InAs/GaSb 二類超...
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