技術(shù)編號(hào)：6791430
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體是指一種平面型雪崩光電探測(cè)器(APD)。背景技術(shù)在過去的五十年中，雪崩光電探測(cè)器(APD)已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于商業(yè)、軍事和科學(xué)研究中，如量子信息、生物分子探測(cè)、激光雷達(dá)成像、天文探測(cè)等。其中平面型雪崩光電探測(cè)器由于高的可靠性、低的暗電流或暗記數(shù)特性，受到廣泛的關(guān)注。平面型器件一般通過擴(kuò)散或離子注入等手段形成PN結(jié)，其結(jié)深和倍增層厚度都受到擴(kuò)散或離子注入深度的影響，有比較大的波動(dòng)性。而器件的倍增層厚度會(huì)強(qiáng)烈影響器件性能。并且由于邊緣...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。