技術(shù)編號:6798963
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于高壓半導(dǎo)體硅管(包括高壓硅二極管、高壓硅晶體管、高壓硅晶閘管)及其制造方法的發(fā)明。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件。現(xiàn)有的高壓半導(dǎo)體硅管一般是在具有雙層結(jié)構(gòu)的硅單晶襯底上制成的,上層為高阻層,起支撐電壓的作用;下層是低阻層,起減小導(dǎo)通電阻的作用。管芯制作在高阻層上。低阻層的導(dǎo)電類型與高阻層的導(dǎo)電類型可以是同型的,也可以是反型的。同型的雙層襯底結(jié)構(gòu)為N-/N+,P-/P+形式;反型的雙層襯底結(jié)構(gòu)為N-/P+,P-/N+形式。低阻層可以是單層的,也可以是雙層的...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。