技術(shù)編號：6804874
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及拋光半導(dǎo)體襯底且更具體地，涉及去除阻擋層的無研磨劑拋光流體。背景技術(shù) 可以通過在電介質(zhì)層中布置多個溝槽來形成半導(dǎo)體器件的電路互連。該互連是通過在下層的電介質(zhì)層上鍍覆阻擋層薄膜，然后在該阻擋層薄膜上鍍覆金屬層形成。形成的金屬層必需具有足夠的厚度以便使金屬充滿溝槽。該互連制造工藝包括兩步化學(xué)機械拋光(CMP)過程的使用。CMP是指用拋光墊或拋光流體拋光半導(dǎo)體晶片的工藝。在第一步拋光中，從下層的阻擋層薄膜和下層的電介質(zhì)層上除去金屬層。該金屬層的去除既是...
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