技術(shù)編號：6806933
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及結(jié)合了溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法，尤其涉及一種溝槽MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。背景技術(shù) 現(xiàn)有技術(shù)的溝槽半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的實例示于圖2中。在n+襯底2上方提供n型漏極層4，且在漏極層4上提供p型主體層6。溝槽8延伸穿過主體層6直到漏極層4，且包括通過柵絕緣體12而與主體層絕緣的導(dǎo)電柵10。鄰接溝槽提供了N+源極擴散14。使用時，將電壓施加到柵電極上，以控制在主體層6中延伸的溝道16，主體層6與源極14和漏極4之間的溝槽8鄰接。在Brow...
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