技術(shù)編號：6808829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般是涉及一種，具體說來，是利用光刻膠薄膜經(jīng)不同能量的光曝光后剩下厚度的差別，形成一種比光刻法所得的更為微細圖案的方法。隨著半導(dǎo)體器件集成度的提高，其制造就需要更為微細的圖案。人們知道，是可以形成比一般光刻法所得更為微細的圖案的，例如，可以采用在底層上面的超微細光刻膠薄膜圖形的側(cè)壁上形成的絕緣隔離物(spacers)作為掩模的辦法。雖然絕緣隔離物的寬度可以做到比光刻膠薄膜圖形的寬度還要小，但迄今還不可能將絕緣隔離物之間的距離做得比光刻膠圖形的寬度更小...
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