技術(shù)編號：6810777
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有用于讀出存儲單元的保存數(shù)據(jù)的讀出放大電路(sense amplifier circuit)的半導(dǎo)體存儲器，尤其涉及一種半導(dǎo)體存儲器，其具有自定時電路，通過對應(yīng)于內(nèi)部存儲單元的特性來控制讀出放大起動信號的激活定時，使數(shù)據(jù)的讀出余裕提高。背景技術(shù) 通常，靜態(tài)RAM(Static RAM，下面稱為SRAM。)具有將交叉連接了一對反相器的存儲單元配置成矩陣狀的存儲單元陣列。各存儲單元中，反相器對的相互連接點經(jīng)一對轉(zhuǎn)移晶體管(transfer tr...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。