技術(shù)編號：6815180
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器，尤其涉及具有分塊工作模式存儲單元陣列的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。以下的例子作為本領(lǐng)域中所使用的技術(shù)而眾所周知。圖3表示塊分模式的常規(guī)隨機存取存儲器的構(gòu)造。圖4為圖3中A部的放大圖。圖5表示圖3所示常規(guī)半導(dǎo)體存儲器的讀出放大器陣列的示意圖。通常，大容量DRAM具有一個存儲器陣列，它由X譯碼器和Y譯碼器劃分為4個子陣列區(qū)域。子陣列區(qū)域10和11位于芯片的上半側(cè)，而子陣列區(qū)域12和13則位于芯片的下半側(cè)。X譯碼器分別位于被定義在兩個...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。