技術(shù)編號(hào):6816115
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及一種單片機(jī)系統(tǒng)(例如中央處理單元(CPU),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(CRAM)系統(tǒng)),尤其是涉及到一個(gè)系統(tǒng),它具有保護(hù)系統(tǒng)的防靜電(即靜電放電)電路以及一個(gè)內(nèi)部的防靜電擊穿電路。隨著在結(jié)構(gòu)上近期的發(fā)展,單片機(jī)半導(dǎo)體系統(tǒng)(即,中央處理單元(CPU)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)已經(jīng)高度集成,并且芯片的尺寸也變得很小。這樣,使構(gòu)成單片機(jī)半導(dǎo)體系統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)休(MOS)晶體管或二級(jí)管的擊穿電壓降低。因此,單片機(jī)半導(dǎo)體系統(tǒng)中的MOS晶體管和二極管容易在系...
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