技術(shù)編號：6816937
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般地涉及Ⅱ-Ⅵ半導體器件。具體地說，本發(fā)明是一種有選擇地刻蝕含鎂的半導體層的方法。本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)埋脊(Buried ridge)，即埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Buried heterostructure)的半導體器件是已知的。這種器件在構(gòu)成諸如1993年5月25日授權(quán)的美國專利第5,213,998號、1993年9月28日授權(quán)的美國專利第5,248,631號、1993年12月28日授權(quán)的美國專利第5,274,269號、1994年3月1日授權(quán)的美國專利第5,291...
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