技術(shù)編號(hào)：6816946
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氧化物電介質(zhì)元件的制造方法、采用該元件的存儲(chǔ)器及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù) 近年來(lái)，作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，有利用了即使電源斷開時(shí)也能保持?jǐn)?shù)據(jù)的非易失性的ROM(只讀存儲(chǔ)器)，但存在著重寫次數(shù)受到很大限制及重寫速度遲緩等問(wèn)題。此外還有具有能以高速進(jìn)行數(shù)據(jù)重寫的優(yōu)點(diǎn)的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。作為這種RAM的存儲(chǔ)用電容器的材料，采用氧化物電介質(zhì)。在氧化物電介質(zhì)中，有具有高介電常數(shù)的高電介質(zhì)及具有極化滯后作用的強(qiáng)電介質(zhì)。其中，還有采用了高電介質(zhì)的DRAM及采用了...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。