技術(shù)編號：6817091
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。技術(shù)背景半導(dǎo)體器件中，尤其以使用屬于具有MOS (Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化 物半導(dǎo)體)構(gòu)造的柵極電極的場效晶體管的MOS晶體管的集成電路，已邁入高集成化的一 途。隨著此高集成化，其中所使用的MOS晶體管，其微細(xì)化已進(jìn)展至毫微米(nano)領(lǐng)域。 在MOS晶體管構(gòu)成屬于數(shù)字(digital)電路的基本電路之一的反向器(inverter)電路 (NOT電路)時，若該MOS晶體管的微細(xì)化進(jìn)展，漏電(l...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。