技術(shù)編號(hào)：6818898
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到具有構(gòu)造在相同基片上的一個(gè)模擬電路和一個(gè)數(shù)字電路的半導(dǎo)體集成電路，以及用于制作該電路的過程。在諸如通訊的各種電子電路應(yīng)用中，具有構(gòu)造在相同基片上由一個(gè)模擬電路和一個(gè)數(shù)字電路構(gòu)成的混合模擬—數(shù)字集成電路正在使用。一種常規(guī)的混合模擬—數(shù)字集成電路如附圖說明圖11所顯示。N-型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管41和P-型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管31形成在一個(gè)P-型半導(dǎo)體基片20上，并且它們由局部的氧化膜12彼此之間絕緣。這些MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管被分為模擬電路模塊01和數(shù)字...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。