技術(shù)編號：6820334
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子學與固體電子學中半導體材料的制造工藝，進一步說是一種以AlN為絕緣埋層的SOI材料制備方法。絕緣體上的硅即SOI(Silicon on Insulator)電路具有高速、低功耗、抗輻射等優(yōu)點，在航空航天、軍工電子、便攜式通訊系統(tǒng)等方面具有重要應用背景，被認為是二十一世紀的硅集成電路技術(shù)，倍受人們重視(J.P.Collige,Silicon on Insulator Technology,Materials to VLSI,Kluwer Ac...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。