技術(shù)編號(hào)：6823293
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及清潔處理半導(dǎo)體襯底的方法和設(shè)備，特別涉及拋光銅膜后清潔處理半導(dǎo)體襯底的方法和設(shè)備。在制造先進(jìn)半導(dǎo)體器件過(guò)程中，開(kāi)始用銅(Cu)代替鋁(Al)作為金屬化材料。當(dāng)把銅和鋁比較時(shí)，由于銅具有低電阻率和有效地提高電遷移的壽命，所以銅成為所希望的材料。一種Cu金屬化工藝?yán)秒p金屬鑲嵌方法。如附圖說(shuō)明圖1a所示，電介質(zhì)層110淀積在襯底100上。電介質(zhì)層120可能由諸如二氧化硅材料構(gòu)成。然后如圖1b所示，溝路和/或溝槽120形成在電介質(zhì)層110中。例如利用干...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。