技術(shù)編號：6823891
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及通過鍵合兩體硅晶片制造利用SOI(絕緣體上硅)的高密度動態(tài)隨機存取存儲器(DRAMs)的方法。半導(dǎo)體存儲器的位密度每三年增長四倍，其操作速度也隨著增加。半導(dǎo)體存儲器的這種發(fā)展使1Gb(千兆位)DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)或1GHz(千兆赫茲)的操作速度成為可能。在DRAM器件中，在64K DRAM密度時代采用的8F2存儲單元尺寸已經(jīng)使用至今。從相對于讀出放大器的位線排列來看，此8F2存儲單元被稱為折疊位線單元結(jié)構(gòu)。8F2是折疊位線單元...
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