技術(shù)編號(hào):6824171
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及用于半導(dǎo)體器件的層疊電容器,特別涉及用于層疊電容器的高電導(dǎo)率栓塞。半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元包括由晶體管存取用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器。根據(jù)電容器的狀態(tài),數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)為高或低位。在進(jìn)行存取以進(jìn)行讀數(shù)據(jù)時(shí),電容器以有電荷或沒(méi)有電荷表示高或低,在向電容器寫入數(shù)據(jù)時(shí),電容器被充電或放電。層疊電容器是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中使用的多種電容器的一種。層疊電容器通常位于訪問(wèn)電容器存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的晶體管的頂部,與掩埋在器件襯底內(nèi)的溝槽電容器相對(duì)。對(duì)于許多電器件,高電導(dǎo)率對(duì)于層疊電容器的性能特性很...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。