技術(shù)編號：6824773
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及到半導體集成電路器件的制造工藝，更確切地說是涉及到在整平的層絕緣膜中制作連接孔時，自對準于布線線條(包括柵電極)和元件隔離區(qū)而暴露半導體襯底表面上的半導體區(qū)域的技術(shù)。作為第一技術(shù)，在例如IEEE Transaction ED-43，No.11(1996)，pp.1864-1869中，描述了在覆蓋柵電極的層隔離膜中與柵電極自對準地制作連接孔的SAC(自對準接觸)技術(shù)。此處公開了一種技術(shù)，其中的柵電極構(gòu)造成具有所謂的“多晶-金屬結(jié)構(gòu)”，這意味著在低阻...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。