技術(shù)編號：6828507
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及熔斷絲電路，尤其涉及一種在局部熔斷狀態(tài)下具有零功率吸收(power draw)的熔斷絲電路。背景技術(shù) 各種半導(dǎo)體應(yīng)用中通常要采用熔斷絲電路。隨著半導(dǎo)體器件如存儲器、可編程邏輯器件等的存儲密度繼續(xù)增加，任一器件中有缺陷單元的發(fā)生率也隨之增加。除非能用某種方式校正這些缺陷，否則有缺陷半導(dǎo)體器件就會廢棄，從而使產(chǎn)量降低。校正這些缺陷的一種通用的方法是在器件中提供大量的冗裕單元。當(dāng)檢測到一個(gè)有缺陷的單元時(shí)，可以用一個(gè)冗裕單元來取而代之。支持這些冗裕單...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。