技術(shù)編號：6829001
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體晶片的加工，而且更具體地涉及具有在處理過程中減少顆粒和金屬污染的襯瓦材料的高密度等離子蝕刻腔體以及相關(guān)的腔體襯瓦結(jié)構(gòu)。當(dāng)集成電路裝置的幾何尺寸以及其工作電壓都連續(xù)減小時，其相關(guān)的加工生產(chǎn)容易受顆粒和金屬雜質(zhì)的污染。因此，加工具有較小尺寸的集成電路需要顆粒和金屬污染級別應(yīng)低于以前可以接受的級別。通常，集成電路(表現(xiàn)為晶片的形式)的加工包括使用等離子蝕刻腔體，它們可以蝕刻由一個光阻材料罩限定的選定層。處理腔構(gòu)造成可以承接處理氣體(即蝕刻化學(xué)...
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