技術(shù)編號(hào)：6829372
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率裝置領(lǐng)域，以及更具體來(lái)說(shuō)，涉及穿通半導(dǎo)體裝置以及用于生產(chǎn)這種穿通半導(dǎo)體裝置的方法。背景技術(shù)通常，在包含pn結(jié)的功率電子裝置中，所使用襯底的厚度大于反向操作中耗盡層的最大厚度。因此，甚至在最大反向電壓、即略低于該裝置的擊穿電壓，耗盡層和其中占優(yōu)勢(shì)的電場(chǎng)沒(méi)有到達(dá)裝置的集電極。這類(lèi)裝置又稱(chēng)作非穿通裝置(NPT)。但是，已經(jīng)觀察到，電子功率裝置中的電損耗與裝置的厚度極為相關(guān)。相應(yīng)地，已經(jīng)研制厚度降低的裝置。 在US 6762080 B2中，描述...
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