技術編號：6829483
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明位于半導體，和涉及包括至少一個襯底和一個第一導電層的微電子結(jié)構。尤其是在半導體存儲器中采用這種微電子結(jié)構。以增長的趨勢采用具有高介電常數(shù)(Epsilon＞20)或具有鐵電特性的材料，用于進一步提高半導體存儲器上的集成密度。當今處于主要關注中的材料，是在較高溫度下，在存在氧的條件下，淀積出的金屬氧化物電介材料。杰出的代表例如是鈦酸鋇鍶((Ba，Sr)TiO3，BST)，鈦酸鉛鋯(PbZrTiO3，PZT)，鉭酸鍶鉍(SrBi2Ta2O9，SBT)以及上...
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