技術(shù)編號：6830126
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造有機(jī)晶體管的方法及有機(jī)晶體管。2.背景技術(shù)在有機(jī)晶體管的生產(chǎn)中，迄今為止，一般采用真空蒸發(fā)法或濕法例如旋涂法和澆鑄法直接在柵絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層(例如，JP-A-2001-94107)。作為有機(jī)半導(dǎo)體元件的例子，將在下面說明一種有機(jī)MIS基TFT(organic MIS-based TFT)(薄膜晶體管)的結(jié)構(gòu)。有機(jī)MIS基TFT包括置于基底上的柵電極、柵絕緣層、源電極、漏電極和有機(jī)半導(dǎo)體層。關(guān)于形成有機(jī)MIS基TFT...
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